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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $4.540 |
| 10+ | $3.180 |
| 25+ | $2.870 |
| 50+ | $2.560 |
| 100+ | $2.260 |
| 250+ | $2.170 |
| 500+ | $2.090 |
| 1600+ | $1.850 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFS7730TRL7PP
No. Parte Newark13AC9164
Rango de ProductoHEXFET
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds75V
Intensidad Drenador Continua Id240A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1700µohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.7V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia375W
No. de Pines7Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoHEXFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
75V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
7Pines
Rango de Producto
HEXFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
240A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1700µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.7V
Disipación de Potencia
375W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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