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IRFS3206TRRPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 120 A, 0.003 ohm, TO-263AB, Montaje Superficial
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817 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $3.960 | $3.96 |
| Total Precio | $3.96 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.960 |
| 50+ | $2.240 |
| 100+ | $1.990 |
| 250+ | $1.950 |
| 500+ | $1.910 |
| 1000+ | $1.870 |
| 2500+ | $1.830 |
| 5000+ | $1.790 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 800+ | $1.840 |
| 1600+ | $1.770 |
| 2400+ | $1.690 |
| 4000+ | $1.660 |
| 8000+ | $1.620 |
| 20000+ | $1.590 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFS3206TRRPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5326
Re-reeling (Rollos a medida)13AC9152RL
Cinta adhesiva13AC9152
Rango de ProductoHEXFET
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id120A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.003
Resistencia de Activación Rds(on)0.0024ohm
Diseño de TransistorTO-263AB
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia300W
Disipación de Potencia Pd300W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoHEXFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
MOSFET de potencia HEXFET® adecuado para su uso en rectificación síncrona de alta eficiencia en SMPS, fuente de alimentación ininterrumpida, conmutación de potencia de alta velocidad y circuitos conmutados y de alta frecuencia.
- Puerta mejorada, avalancha y robustez dinámica dV/dt
- SOA de avalancha y capacitancia totalmente caracterizada
- Capacidad dV/dt y dI/dt de cuerpo de diodo mejoradas
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.003
Diseño de Transistor
TO-263AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
300W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
HEXFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
120A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0024ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia Pd
300W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto