IRFR9120NTRPBF
MOSFET POT, CANAL P, 100V, 6.6A
| Fabricante | INFINEON |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | IRFR9120NTRPBFCopiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 21 semanas |
| No. Parte Newark | Re-reeling (Rollos a medida)40M7907RL Cinta adhesiva40M7907 |
| También conocido como | SP001557182 |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
10,000 Puede reservar stock ahora
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.320 | $1.32 |
| Total Precio | $1.32 | ||
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.320 |
| 50+ | $0.657 |
| 100+ | $0.592 |
| 250+ | $0.536 |
| 500+ | $0.479 |
| 1000+ | $0.469 |
| 2500+ | $0.460 |
| 5000+ | $0.450 |
Información del producto
| Fabricante | INFINEON |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | IRFR9120NTRPBFCopiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 21 semanas |
| No. Parte Newark | Re-reeling (Rollos a medida)40M7907RL Cinta adhesiva40M7907 |
| También conocido como | SP001557182 |
| Hoja de datos técnicos | |
| Transistor, Polaridad | Canal P |
| Tipo de Canal | P Channel |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 100 |
| Intensidad Drenador Continua Id | 6.6 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.48 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.48ohm |
| Diseño de Transistor | TO-252 (DPAK) |
| Montaje de Transistor | Surface Mount |
| Disipación de Potencia Pd | 40W |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 4 |
| Disipación de Potencia | 40 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150 |
| Rango de Producto | - |
| Calificación | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | Lead (04-Feb-2026) |
Resumen del producto
El IRFR9120NTRPBF es un MOSFET de potencia de canal P único de quinta generación HEXFET® que utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de ENCENDIDO extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el diseño robusto del dispositivo, proporciona un dispositivo extremadamente eficiente y un funcionamiento confiable. Está diseñado para montaje en superficie utilizando técnicas de soldadura en fase de vapor, infrarrojo o onda. Es posible un nivel de disipación de potencia de hasta 1.5W en aplicaciones típicas de montaje en superficie.
- Tecnología de proceso avanzada
- Calificación de avalancha completa
- Baja resistencia de encendido estática drenaje a fuente
- Clasificación dv/dt dinámica
Especificaciones técnicas
| Transistor, Polaridad | Canal P |
|---|---|
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 100 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.48 |
| Diseño de Transistor | TO-252 (DPAK) |
| Disipación de Potencia Pd | 40W |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 4 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Rango de Producto | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | - |
| Tipo de Canal | P Channel |
|---|---|
| Intensidad Drenador Continua Id | 6.6 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.48ohm |
| Montaje de Transistor | Surface Mount |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Disipación de Potencia | 40 |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150 |
| Calificación | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | Lead (04-Feb-2026) |
Documentos técnicos (4)
Alternativas para el número de pieza IRFR9120NTRPBF
2 productos encontrados
Productos relacionados
4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Y-Ex RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | Lead (04-Feb-2026) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |
| Trazabilidad del producto |