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IRFR7540TRPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 90 A, 0.0048 ohm, TO-252AA, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFR7540TRPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante9 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5322
Re-reeling (Rollos a medida)31Y2071RL
Cinta adhesiva31Y2071
También conocido comoSP001550214
Su número de pieza
12,466 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $2.070 | $10.35 |
| Total Precio | $10.35 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $2.070 |
| 50+ | $1.320 |
| 100+ | $0.890 |
| 250+ | $0.799 |
| 500+ | $0.707 |
| 1000+ | $0.648 |
| 2500+ | $0.597 |
| 5000+ | $0.577 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2000+ | $0.757 |
| 6000+ | $0.684 |
| 10000+ | $0.664 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFR7540TRPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante9 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5322
Re-reeling (Rollos a medida)31Y2071RL
Cinta adhesiva31Y2071
También conocido comoSP001550214
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id90A
Resistencia de Activación Rds(on)0.004ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente4800µohm
Diseño de TransistorTO-252AA
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd140W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.7V
Disipación de Potencia140W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The IRFR7540TRPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for battery powered circuits, synchronous rectifier applications, half-bridge and full-bridge topologies.
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.004ohm
Diseño de Transistor
TO-252AA
Disipación de Potencia Pd
140W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.7V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
90A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
4800µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
140W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (4)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
