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IRFR24N15DTRPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 150 V, 24 A, 0.095 ohm, TO-252AA, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFR24N15DTRPBF
No. Parte Newark13AC9126
Rango de ProductoHEXFET Series
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.060 |
| 10+ | $1.270 |
| 25+ | $1.190 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFR24N15DTRPBF
No. Parte Newark13AC9126
Rango de ProductoHEXFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds150
Intensidad Drenador Continua Id24
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.095
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-252AA
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5
Disipación de Potencia140
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza IRFR24N15DTRPBF
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Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
150
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.095
Diseño de Transistor
TO-252AA
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
24
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
140
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
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4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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