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IRFP4768PBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 250 V, 93 A, 0.0175 ohm, TO-247AC, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFP4768PBFCopiar
No. Parte Newark08R4843
También conocido comoSP001571028
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $6.890 |
| 10+ | $6.860 |
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| 50+ | $4.600 |
| 100+ | $4.340 |
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| 800+ | $4.070 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFP4768PBFCopiar
No. Parte Newark08R4843
También conocido comoSP001571028
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds250
Intensidad Drenador Continua Id93
Resistencia de Activación Rds(on)0.0145ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0175
Diseño de TransistorTO-247AC
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd520W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5
Disipación de Potencia520
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para el número de pieza IRFP4768PBF
2 productos encontrados
Resumen del producto
El IRFP4768PBF es un mosfet de potencia de 250V un canal-N HEXFET® con resistencia de encendido extremadamente baja por área de silicio y desempeño de conmutación rápida utilizando tecnología Trench MOSFET. Adecuado para rectificación síncrona de alta eficiencia en SMPS, fuente de alimentación no interrumpida, conmutación de potencia de alta velocidad, circuitos de alta frecuencia y conmutación dura.
- Solidez de dv/dt dinámica, avalancha y compuerta mejoradas
- SOA de avalancha y capacitancia totalmente caracterizada
- Capacidad dV/dt y dI/dt de cuerpo de diodo mejoradas
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
250
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0145ohm
Diseño de Transistor
TO-247AC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
93
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0175
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
520W
Disipación de Potencia
520
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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