Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.

924 En Inventario
¿Necesita más?
31 Entrega en EE. UU. en 1-3 días hábiles. Haga su pedido antes de las 12:30 p. m. EST (hora estandar del este de EE. UU.). Envío estándar.
893 Stock disponible en el Reino Unido para entrega en 4-6 días laborables.
Pedido antes de las 8 p.m. EST envío estándar
Disponible en la cantidad indicada
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.270 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.27
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFP4227PBFCopiar
No. Parte Newark88K4610
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200V
Intensidad Drenador Continua Id65A
Resistencia de Activación Rds(on)0.025ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.025ohm
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd330W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5V
Disipación de Potencia330W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IRFP4227PBF es un interruptor HEXFET® Power MOSFET PDP de canal único de 200 V diseñado para sostener, recuperar energía y pasar aplicaciones de interruptor para paneles de pantallas de plasma. Al adaptar las últimas técnicas logra una baja resistencia por área de silicio y clasificación EPULSE.
- Temperatura de funcionamiento de 175°C
- Baja QG para una respuesta rápida
- Gran capacidad de corriente pico repetitiva para un funcionamiento confiable
- Breve caída y tiempos de subida para la conmutación rápida
- Capacidad para soportar avalanchas repetitivas para mayor confiabilidad y robustez
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.025ohm
Diseño de Transistor
TO-247
Disipación de Potencia Pd
330W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
65A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.025ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
330W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto
