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IRFL024ZTRPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 55 V, 5.1 A, 0.0575 ohm, SOT-223, Montaje Superficial
9,857 En Inventario
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Pedido antes de las 8 p.m. EST envío estándar
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.215 | $0.22 |
| Total Precio | $0.22 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio | Precio promocional |
|---|---|---|
| 1+ | $0.215 | $0.215 |
| 10+ | $0.000 | $0.215 |
| 25+ | $0.000 | $0.215 |
| 50+ | $0.000 | $0.215 |
| 100+ | $0.000 | $0.215 |
| 250+ | $0.000 | $0.215 |
| 500+ | $0.000 | $0.215 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.285 |
| 5000+ | $0.274 |
| 10000+ | $0.262 |
| 15000+ | $0.248 |
| 25000+ | $0.233 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFL024ZTRPBFCopiar
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5294
Re-reeling (Rollos a medida)13AC9116
Cinta adhesiva13AC9116
Rango de ProductoHEXFET
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds55V
Intensidad Drenador Continua Id5.1A
Resistencia de Activación Rds(on)0.0462ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0575ohm
Diseño de TransistorSOT-223
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia2.8W
Disipación de Potencia Pd2.8W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoHEXFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
- MOSFET de potencia HEXFET® de canal N único
- Tecnología de proceso avanzada
- Ultra baja resistencia de encendido
- Temperatura de funcionamiento de 150°C
- Conmutación rápida
- Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
55V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0462ohm
Diseño de Transistor
SOT-223
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
2.8W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
HEXFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
5.1A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0575ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia Pd
2.8W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IRFL024ZTRPBF
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto