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IRFH4253DTRPBF
MOSFET Dual, Canal N + Schottky, 25 V, 145 A, 0.0011 ohm
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFH4253DTRPBF
No. Parte Newark19X2759
Rango de ProductoFastIRFET HEXFET Series
También conocido comoSP001556246
Su número de pieza
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFH4253DTRPBF
No. Parte Newark19X2759
Rango de ProductoFastIRFET HEXFET Series
También conocido comoSP001556246
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel + Schottky
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N25V
Intensidad Drenador Continua Id145A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds25V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N145A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente1100µohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorQFN
No. de Pines10Pines
Disipación de Potencia de Canal N50W
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoFastIRFET HEXFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 2 - 1 year
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Resumen del producto
IRFH4253DTRPBF is a HEXFET® Power MOSFET. Application includes control and synchronous MOSFETs for synchronous buck converters.
- Control and synchronous MOSFETs in one package, increased power density
- Low charge control MOSFET (10nC typical), lower switching losses
- Low RDSON synchronous MOSFET (<lt/>1.45mohm), lower conduction losses
- Intrinsic schottky diode with low forward voltage on Q2, lower switching losses
- Environmentally friendlier, industrial qualification, increased reliability
- Drain-to-source breakdown voltage is 25V (typ, Q1, Q2, VGS = 0V, ID = 250µA/1.0mA)
- Breakdown voltage temp coefficient is 22mV/°C (typ, Q1, Q2, reference to 25°C, ID = 1.0mA)
- Gate threshold voltage is 1.6V (typ, Q1: VDS = VGS, ID = 35µA, Q2: VDS = VGS, ID = 100µA)
- Drain-to-source leakage current is 1.0µA (typ, VDS = 20V, VGS = 0V, TJ = 25°C)
- Dual PQFN package, operating junction and storage temperature range from -55 to + 150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel + Schottky
Intensidad Drenador Continua Id
145A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
25V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
10Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
FastIRFET HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 2 - 1 year
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
25V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
145A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
1100µohm
Diseño de Transistor
QFN
Disipación de Potencia de Canal N
50W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2018)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2018)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto