Imprimir página
IRFB7430PBF
MOSFET, N-CH, 40V, 195A, 175DEG C, 375W
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
55 En Inventario
¿Necesita más?
Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 8 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.990 |
| 10+ | $2.270 |
| 100+ | $2.100 |
| 500+ | $1.850 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$3.99
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFB7430PBF
No. Parte Newark53W9267
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id195A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1300µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.001ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.2V
Disipación de Potencia375W
Disipación de Potencia Pd375W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
MOSFET de potencia StrongIRFET™ de canal N único ideal para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. Es adecuado para su uso en aplicaciones de accionamiento de motor con escobillas, aplicaciones de accionamiento de motor BLDC, circuitos alimentados por batería, topologías de medio puente y puente completo, aplicaciones de rectificador síncrono, fuentes de alimentación de modo resonante, interruptores de alimentación OR-ing y redundantes, CD/CD y Aplicaciones de convertidores CA/CD e inversores CD/CA.
- Puerta mejorada, avalancha y robustez dinámica dV/dt
- SOA de avalancha y capacitancia totalmente caracterizada
- Capacidad dV/dt y dI/dt de cuerpo de diodo mejoradas
- Paquete de capacidad de transporte de alta corriente y clasificación de alta corriente
- Calificación del producto según el estándar JEDEC
- Diodo de cuerpo más suave en comparación con la generación de silicio anterior
- Nivel de calificación estándar de la industria
- Alto rendimiento en aplicaciones de baja frecuencia
- Aumento de la densidad de potencia
- El arreglo de pines estándar permite un reemplazo directo
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1300µohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
375W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
195A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.001ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.2V
Disipación de Potencia Pd
375W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (4)
Alternativas para el número de pieza IRFB7430PBF
3 productos encontrados
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto