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IRFB4321PBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 150 V, 83 A, 0.015 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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| Cantidad | Precio |
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| 10+ | $2.690 |
| 25+ | $2.670 |
| 50+ | $2.350 |
| 100+ | $2.020 |
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| 500+ | $1.680 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFB4321PBF
No. Parte Newark61M6836
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds150
Intensidad Drenador Continua Id83
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.015
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5
Disipación de Potencia330
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The IRFB4321PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers low gate charge improves the switching performance. It is suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, hard switched and high frequency circuits.
- Low RDS (ON) reduces losses
- Improved diode recovery improves switching and EMI performance
- 30V Gate voltage rating improves robustness
- Fully characterized avalanche SOA
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
83
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
330
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
150
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.015
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
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3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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