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IRFB3077PBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 75 V, 210 A, 0.0033 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFB3077PBF
No. Parte Newark25M9790
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds75
Intensidad Drenador Continua Id210
Resistencia de Activación Rds(on)0.0033ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0033
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia370
Disipación de Potencia Pd370W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
75
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0033ohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
370
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
210
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0033
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia Pd
370W
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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