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IRF9540NPBF
MOSFET POT, CANAL P, 100V, 23A
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| Fabricante | INFINEON |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | IRF9540NPBFCopiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 17 semanas |
| No. Parte Newark | 63J7431 |
| Rango de Producto | HEXFET Series |
| También conocido como | SP001560174 |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.750 |
| 10+ | $1.230 |
| 100+ | $0.870 |
| 500+ | $0.690 |
| 1000+ | $0.612 |
| 2500+ | $0.560 |
| 5000+ | $0.538 |
Precio para:Cada
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Múltiple: 1
$1.75
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Información del producto
| Fabricante | INFINEON |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | IRF9540NPBFCopiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 17 semanas |
| No. Parte Newark | 63J7431 |
| Rango de Producto | HEXFET Series |
| También conocido como | SP001560174 |
| Hoja de datos técnicos | |
| Transistor, Polaridad | Canal P |
| Tipo de Canal | P Channel |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 100V |
| Intensidad Drenador Continua Id | 23A |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.117ohm |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.117ohm |
| Diseño de Transistor | TO-220AB |
| Montaje de Transistor | Through Hole |
| Disipación de Potencia Pd | 140W |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10V |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 4V |
| Disipación de Potencia | 140W |
| No. de Pines | 3Pines |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 175°C |
| Rango de Producto | HEXFET Series |
| Calificación | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
Resumen del producto
El IRF9540NPBF es un MOSFET de potencia HEXFET de un solo canal P de -100V en TO-220AB. Este MOSFET tiene una resistencia extremadamente baja por área de silicio, clasificación dv/dt dinámica, conmutación rápida y resistente y, como resultado, una calificación de avalancha total, los MOSFET de potencia son muy conocidos por proporcionar una gran eficiencia y fiabilidad que se pueden utilizar en una gran variedad de aplicaciones.
- Voltaje drenaje-fuente Vds de -100V
- Voltaje de compuerta a fuente de ± 20V
- Resistencia en estado de encendido Rds(on) de 117mohm con Vgs de -10V
- Disipación de potencia Pd de 140W a 25 °C
- Corriente continua de drenaje Id de -23A en Vgs -10V y 25 ° C
- La temperatura de funcionamiento de unión es desde -55°C hasta 175°C
Especificaciones técnicas
| Transistor, Polaridad | Canal P |
|---|---|
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 100V |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.117ohm |
| Diseño de Transistor | TO-220AB |
| Disipación de Potencia Pd | 140W |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 4V |
| No. de Pines | 3Pines |
| Rango de Producto | HEXFET Series |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | - |
| Tipo de Canal | P Channel |
|---|---|
| Intensidad Drenador Continua Id | 23A |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.117ohm |
| Montaje de Transistor | Through Hole |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10V |
| Disipación de Potencia | 140W |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 175°C |
| Calificación | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza IRF9540NPBF
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Sí RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |