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IRF7470TRPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 10 A, 0.013 ohm, SOIC, Montaje Superficial
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.110 | $1.11 |
| Total Precio | $1.11 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.110 |
| 50+ | $0.952 |
| 100+ | $0.859 |
| 250+ | $0.780 |
| 500+ | $0.655 |
| 1000+ | $0.579 |
| 2500+ | $0.503 |
| 5000+ | $0.483 |
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Información del producto
| Fabricante | INFINEON |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | IRF7470TRPBFCopiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 12 semanas |
| No. Parte Newark | Re-reeling (Rollos a medida)40M7961RL Cinta adhesiva40M7961 |
| Rango de Producto | HEXFET |
| También conocido como | SP001570336 |
| Hoja de datos técnicos | |
| Tipo de Canal | N Channel |
| Transistor, Polaridad | Canal N |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 40 |
| Intensidad Drenador Continua Id | 10 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.013 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.013ohm |
| Diseño de Transistor | SOIC |
| Montaje de Transistor | Surface Mount |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Disipación de Potencia Pd | 2.5W |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 800 |
| Disipación de Potencia | 2.5 |
| No. de Pines | 8Pines |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150 |
| Rango de Producto | HEXFET |
| Calificación | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 1 - Unlimited |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (23-Jan-2024) |
Resumen del producto
El IRF7470TRPBF es un MOSFET de potencia de un solo canal N de HEXFET® que ofrece voltaje y corriente de avalancha completamente caracterizados. Es adecuado para convertidores CD a CD de alta frecuencia con rectificación síncrona.
- Ultra baja Impedancia de compuerta
- Muy baja resistencia estática de drenaje a fuente ON a un voltaje de puerta a fuente de 4.5V
- Clasificación dv/dt dinámica
- Conmutación rápida
- Calificación de avalancha completa
Especificaciones técnicas
| Tipo de Canal | N Channel |
|---|---|
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 40 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.013 |
| Diseño de Transistor | SOIC |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 800 |
| No. de Pines | 8Pines |
| Rango de Producto | HEXFET |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 1 - Unlimited |
| Transistor, Polaridad | Canal N |
|---|---|
| Intensidad Drenador Continua Id | 10 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.013ohm |
| Montaje de Transistor | Surface Mount |
| Disipación de Potencia Pd | 2.5W |
| Disipación de Potencia | 2.5 |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150 |
| Calificación | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (23-Jan-2024) |
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Sí RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | No SVHC (23-Jan-2024) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |
| Trazabilidad del producto |