IRF7343TRPBF
MOSFET Dual, Canal complementario N y P, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm
| Fabricante | INFINEON |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | IRF7343TRPBFCopiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 14 semanas |
| No. Parte Newark | 19K8265 |
| También conocido como | SP001565516 |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
¿Necesita más?
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.630 |
| 10+ | $1.030 |
| 100+ | $0.685 |
| 500+ | $0.536 |
| 1000+ | $0.525 |
| 2500+ | $0.515 |
| 10000+ | $0.504 |
Información del producto
| Fabricante | INFINEON |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | IRF7343TRPBFCopiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 14 semanas |
| No. Parte Newark | 19K8265 |
| También conocido como | SP001565516 |
| Hoja de datos técnicos | |
| Tipo de Canal | Complementary N and P Channel |
| Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N | 55V |
| Intensidad Drenador Continua Id | 4.7A |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 55V |
| Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P | 55V |
| Corriente de Drenaje Continua Id Canal N | 4.7A |
| Corriente de Drenaje Continua Id Canal P | 4.7A |
| Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente | 0.043ohm |
| Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente | 0.043ohm |
| Diseño de Transistor | SOIC |
| No. de Pines | 8Pines |
| Disipación de Potencia de Canal N | 2W |
| Disipación de Potencia de Canal P | 2W |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150°C |
| Rango de Producto | - |
| Calificación | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
Resumen del producto
El IRF7343TRPBF es un MOSFET de doble canal N/P que utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr la menor resistencia ON posible por área de silicio. Este beneficio se combina con la rápida velocidad de conmutación y el dispositivo resistente. El HEXFET Power MOSFET es un dispositivo extremadamente eficiente para usar en una amplia variedad de aplicaciones. El SO-8 se ha modificado a través de un marco de plomo personalizado para características térmicas mejoradas y capacidad de doble matriz, lo que lo hace ideal en una variedad de aplicaciones de energía. Con estas mejoras, se pueden usar múltiples dispositivos en una aplicación con un espacio de placa dramáticamente reducido.
- Tecnología de generación V
- Ultra baja resistencia de encendido
- Dispositivo de montaje en superficie
- Clasificado avalancha completa
Especificaciones técnicas
| Tipo de Canal | Complementary N and P Channel |
|---|---|
| Intensidad Drenador Continua Id | 4.7A |
| Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P | 55V |
| Corriente de Drenaje Continua Id Canal P | 4.7A |
| Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente | 0.043ohm |
| No. de Pines | 8Pines |
| Disipación de Potencia de Canal P | 2W |
| Rango de Producto | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | - |
| Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N | 55V |
|---|---|
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 55V |
| Corriente de Drenaje Continua Id Canal N | 4.7A |
| Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente | 0.043ohm |
| Diseño de Transistor | SOIC |
| Disipación de Potencia de Canal N | 2W |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150°C |
| Calificación | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Sí RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |