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IRF7313TRPBFXTMA1
MOSFET DOBLE CANAL N 30V 6,5A SO-8
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FabricanteINFINEON
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No. Parte Newark79AK7072
Rango de ProductoHEXFET Series
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.310 |
| 10+ | $0.817 |
| 25+ | $0.724 |
| 50+ | $0.630 |
| 100+ | $0.538 |
| 250+ | $0.478 |
| 500+ | $0.417 |
| 1000+ | $0.379 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF7313TRPBFXTMA1Copiar
No. Parte Newark79AK7072
Rango de ProductoHEXFET Series
Tipo de CanalDual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N6.5A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.029ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSO-8
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2W
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Dual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
HEXFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
6.5A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.029ohm
Diseño de Transistor
SO-8
Disipación de Potencia de Canal N
2W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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