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IRF7306TRPBF
MOSFET, CANAL P DOB, -30V, -3.6A, SOIC-8
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF7306TRPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante28 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5371
Re-reeling (Rollos a medida)42Y0401RL
Cinta adhesiva42Y0401
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2,493 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Hilado completo | 1 | $0.384 | $0.00 |
| Total Precio | $0.38 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.490 |
| 50+ | $0.980 |
| 100+ | $0.687 |
| 250+ | $0.624 |
| 500+ | $0.561 |
| 1000+ | $0.521 |
| 2500+ | $0.487 |
| 5000+ | $0.477 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 4000+ | $0.384 |
| 8000+ | $0.370 |
| 16000+ | $0.356 |
| 24000+ | $0.340 |
| 40000+ | $0.339 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF7306TRPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante28 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5371
Re-reeling (Rollos a medida)42Y0401RL
Cinta adhesiva42Y0401
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N3.6
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P3.6
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.1ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.1
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2
Disipación de Potencia de Canal P2
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
3.6
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.1
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
2
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
3.6
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.1ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
2
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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