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IRF7303TRPBFXTMA1
MOSFET DOBLE CANAL N 30V 4,9A SO-8
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FabricanteINFINEON
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No. Parte Newark79AK7071
Rango de ProductoHEXFET Series
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1,944 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.520 |
| 10+ | $0.961 |
| 25+ | $0.853 |
| 50+ | $0.745 |
| 100+ | $0.637 |
| 250+ | $0.568 |
| 500+ | $0.497 |
| 1000+ | $0.452 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF7303TRPBFXTMA1Copiar
No. Parte Newark79AK7071
Rango de ProductoHEXFET Series
Tipo de CanalDual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N4.9A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.05ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSO-8
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2W
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Dual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
HEXFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
4.9A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.05ohm
Diseño de Transistor
SO-8
Disipación de Potencia de Canal N
2W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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