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IRF7301TRPBF
Dual MOSFET, Dual N Channel, 5.2 A, 20 V, 0.05 ohm, 4.5 V, 700 mV RoHS Compliant: Yes
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF7301TRPBF
No. Parte Newark42Y0399
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF7301TRPBF
No. Parte Newark42Y0399
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N5.2A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P5.2A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.05ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.05ohm
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2W
Disipación de Potencia de Canal P2W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (08-Jul-2021)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
5.2A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.05ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
2W
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
5.2A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.05ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
2W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (08-Jul-2021)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (08-Jul-2021)
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Certificado de conformidad del producto