Imprimir página
IRF6645TRPBF
MOSFET, CANAL N 100V/25A, DIRECTFET SJ-7
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF6645TRPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5364
Re-reeling (Rollos a medida)13AC9183RL
Cinta adhesiva13AC9183
Rango de ProductoHEXFET Series
Su número de pieza
1,705 En Inventario
¿Necesita más?
Entrega en 4-6 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 8 p.m. EST para un envío normal
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Hilado completo | 1 | $0.916 | $0.00 |
| Total Precio | $0.92 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.020 |
| 50+ | $1.070 |
| 100+ | $0.952 |
| 250+ | $0.857 |
| 500+ | $0.762 |
| 1000+ | $0.719 |
| 2500+ | $0.615 |
| 5000+ | $0.603 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 4800+ | $0.916 |
| 14400+ | $0.879 |
| 24000+ | $0.861 |
Si desea una menor cantidad, puede seleccionar otro tipo de embalaje
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF6645TRPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5364
Re-reeling (Rollos a medida)13AC9183RL
Cinta adhesiva13AC9183
Rango de ProductoHEXFET Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id25
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.035ohm
Diseño de TransistorDirectFET SJ
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.9
Disipación de Potencia42
No. de Pines7Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
25
Diseño de Transistor
DirectFET SJ
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
42
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.035ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.9
No. de Pines
7Pines
Rango de Producto
HEXFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto