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IRF630NSTRLPBF
MOSFET, N-CH, 200V, 9.3A, TO-263 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF630NSTRLPBF
No. Parte Newark86AK5360
Rango de ProductoHEXFET Series
Su número de pieza
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF630NSTRLPBF
No. Parte Newark86AK5360
Rango de ProductoHEXFET Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200V
Intensidad Drenador Continua Id9.3A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.3ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia82W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
9.3A
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
82W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.3ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
HEXFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto