Imprimir página
IRF630NPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 9.3 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF630NPBF
No. Parte Newark63J7338
También conocido comoSP001564792
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 17 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.900 |
| 10+ | $0.813 |
| 100+ | $0.800 |
| 500+ | $0.734 |
| 1000+ | $0.708 |
| 4000+ | $0.697 |
| 10000+ | $0.686 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.90
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF630NPBF
No. Parte Newark63J7338
También conocido comoSP001564792
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200
Intensidad Drenador Continua Id9.3
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.3
Resistencia de Activación Rds(on)0.3ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd82W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia82
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El IRF630NPBF es un MOSFET de potencia HEXFET® de un solo canal de 200V con una resistencia de activación extremadamente baja por área de silicio y un rendimiento de conmutación rápida utilizando tecnología planar avanzada.
- Temperatura de funcionamiento de 175°C
- Clasificado avalancha completa
- Clasificación dv/dt dinámica
- Fácil conexión paralela
- Requerimiento controlador sencillo
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.3
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
9.3
Resistencia de Activación Rds(on)
0.3ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
82W
Disipación de Potencia
82
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza IRF630NPBF
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto