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IRF540NSTRLPBF.
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 33 A, 44 mohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
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No. Parte Newark26AC0596
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| Cantidad | Precio |
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Información del producto
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No. Parte Newark26AC0596
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id33
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente44
Resistencia de Activación Rds(on)0.044ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd130W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia130
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
44
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
33
Resistencia de Activación Rds(on)
0.044ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
130W
Disipación de Potencia
130
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza IRF540NSTRLPBF.
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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