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IRF5210PBF
P CHANNEL MOSFET, -100V, 40A, TO-220AB
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF5210PBF
No. Parte Newark63J7311
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id40A
Resistencia de Activación Rds(on)0.06ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.06ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd200W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia200W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El IRF5210PBF es un MOSFET de potencia HEXFET® de canal P. Este MOSFET de potencia HEXFET® utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia extremadamente baja de 0n por área de silicio.
- Tecnología de proceso avanzada
- Nueva resistencia ultra baja encendido
- Conmutación rápida
- Clasificación dv/dt dinámica
- Avalancha completa
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.06ohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Disipación de Potencia Pd
200W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
40A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.06ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
200W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
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4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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