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IRF520NPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 9.7 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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| Fabricante | INFINEON |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | IRF520NPBFCopiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 28 semanas |
| No. Parte Newark | 19K8210 |
| También conocido como | SP001571310 |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.520 |
| 10+ | $0.977 |
| 100+ | $0.670 |
| 500+ | $0.539 |
| 1000+ | $0.528 |
| 2500+ | $0.517 |
| 10000+ | $0.507 |
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Información del producto
| Fabricante | INFINEON |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | IRF520NPBFCopiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 28 semanas |
| No. Parte Newark | 19K8210 |
| También conocido como | SP001571310 |
| Hoja de datos técnicos | |
| Transistor, Polaridad | Canal N |
| Tipo de Canal | N Channel |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 100V |
| Intensidad Drenador Continua Id | 9.7A |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.2ohm |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.2ohm |
| Diseño de Transistor | TO-220AB |
| Montaje de Transistor | Through Hole |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10V |
| Disipación de Potencia Pd | 48W |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 4V |
| Disipación de Potencia | 47W |
| No. de Pines | 3Pines |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 175°C |
| Rango de Producto | - |
| Calificación | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
Resumen del producto
El IRF520NPBF es un MOSFET de potencia HEXFET® de canal N con extremadamente baja resistencia a la conexión por área de silicio y un rendimiento de conmutación rápido. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el diseño robusto del dispositivo por el que los MOSFET de potencia HEXFET son bien conocidos, brinda al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
- Clasificación dv/dt dinámica
- Clasificado avalancha completa
- Tecnología de proceso avanzada
Especificaciones técnicas
| Transistor, Polaridad | Canal N |
|---|---|
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 100V |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.2ohm |
| Diseño de Transistor | TO-220AB |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10V |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 4V |
| No. de Pines | 3Pines |
| Rango de Producto | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | - |
| Tipo de Canal | N Channel |
|---|---|
| Intensidad Drenador Continua Id | 9.7A |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.2ohm |
| Montaje de Transistor | Through Hole |
| Disipación de Potencia Pd | 48W |
| Disipación de Potencia | 47W |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 175°C |
| Calificación | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IRF520NPBF
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Sí RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |