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IRF3205STRLPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 55 V, 110 A, 0.008 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF3205STRLPBF
No. Parte Newark42Y0386
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.460 |
| 10+ | $2.300 |
| 25+ | $2.090 |
| 50+ | $1.860 |
| 100+ | $1.640 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF3205STRLPBF
No. Parte Newark42Y0386
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds55
Intensidad Drenador Continua Id110
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente8000µohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia200
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
55
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
110
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
8000µohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
200
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza IRF3205STRLPBF
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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