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IRF1405ZPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 55 V, 150 A, 0.0049 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF1405ZPBF
No. Parte Newark39AH8945
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF1405ZPBF
No. Parte Newark39AH8945
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds55
Intensidad Drenador Continua Id150
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente4900µohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia230
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
55
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-220AB
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
150
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
4900µohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
230
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
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US ECCN:EAR99
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Conforme a RoHS:Sí
RoHS
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RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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