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IRF1405ZPBF
MOSFET, CANAL N, 55V, 150A, TO-220AB
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF1405ZPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante13 semanas
No. Parte Newark39AH8945
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.730 |
| 10+ | $1.970 |
| 100+ | $1.780 |
| 500+ | $1.550 |
| 1000+ | $1.520 |
| 2500+ | $1.490 |
| 5000+ | $1.400 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF1405ZPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante13 semanas
No. Parte Newark39AH8945
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds55
Intensidad Drenador Continua Id150
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0049
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia230
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
55
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0049
Diseño de Transistor
TO-220AB
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
150
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
230
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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