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IPW65R190C7XKSA1
MOSFET Transistor, N Channel, 24 A, 650 V, 0.404 ohm, 10 V, 3.5 V RoHS Compliant: Yes
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPW65R190C7XKSA1Copiar
No. Parte Newark54X5237
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.590 |
| 10+ | $2.680 |
| 25+ | $2.510 |
| 50+ | $2.340 |
| 100+ | $2.170 |
| 480+ | $2.050 |
| 720+ | $1.930 |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPW65R190C7XKSA1Copiar
No. Parte Newark54X5237
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Intensidad Drenador Continua Id24A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.404ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5V
Disipación de Potencia72W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.404ohm
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
24A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
72W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IPW65R190C7XKSA1
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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