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IPT059N15N3ATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 150 V, 115 A, 0.005 ohm, HSOF, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPT059N15N3ATMA1
No. Parte Newark50Y2080
Rango de ProductoOptiMOS 3 Series
También conocido comoIPT059N15N3, SP001100162
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 15 semanas
Opciones de embalaje
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $6.580 |
| 10+ | $5.450 |
| 25+ | $5.020 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPT059N15N3ATMA1
No. Parte Newark50Y2080
Rango de ProductoOptiMOS 3 Series
También conocido comoIPT059N15N3, SP001100162
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds150
Intensidad Drenador Continua Id115
Resistencia de Activación Rds(on)0.005ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.005
Diseño de TransistorHSOF
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd375W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia375
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoOptiMOS 3 Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
IPT059N15N3ATMA1 is an OptiMOS™3 N-channel power MOSFET. Potential applications are forklift, light electric vehicles (LEV) e.g. e-scooter, e-bikes or µ-car, Point-of-load (POL), telecom, efuse.
- Normal level, excellent gate charge xRDS(on) product (FOM)
- Very low on-resistance RDS (on), 175°C operating temperature, PG-HSOF-8 package
- Qualified according to JEDEC for target application
- Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification
- Halogen-free according to IEC61249-2-21
- Less paralleling and cooling required, highest system reliability
- System cost reduction, enabling very compact design
- Drain-source on-state resistance is 5.9mohm at VGS=10V, ID=150A
- Diode continuous forward current is 155A at TC=25°C
- Drain-source breakdown voltage is 150V at VGS=0V, ID=1mA
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
150
Resistencia de Activación Rds(on)
0.005ohm
Diseño de Transistor
HSOF
Disipación de Potencia Pd
375W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
OptiMOS 3 Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
115
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.005
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
375
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza IPT059N15N3ATMA1
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto