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IPP65R225C7XKSA1
Power MOSFET, N Channel, 11 A, 650 V, 0.199 ohm, 10 V, 3.5 V RoHS Compliant: Yes
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPP65R225C7XKSA1
No. Parte Newark50Y2073
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.470 |
| 10+ | $1.290 |
| 100+ | $1.180 |
| 500+ | $1.080 |
| 1000+ | $1.010 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPP65R225C7XKSA1
No. Parte Newark50Y2073
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Intensidad Drenador Continua Id11A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.199ohm
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5V
Disipación de Potencia63W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-220
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
11A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.199ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
63W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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