Imprimir página
IPP60R190P6XKSA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 20.2 A, 0.19 ohm, TO-220, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPP60R190P6XKSA1
No. Parte Newark54X5228
También conocido comoIPP60R190P6, SP001017066
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
1,122 En Inventario
¿Necesita más?
290 Entrega en 1-3 días hábiles(US inventario)
832 Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
Pedido antes de las 9 p.m. EST envío estándar
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.630 |
| 10+ | $2.780 |
| 100+ | $2.210 |
| 500+ | $1.850 |
| 1000+ | $1.590 |
| 2500+ | $1.500 |
| 5000+ | $1.460 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$3.63
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPP60R190P6XKSA1
No. Parte Newark54X5228
También conocido comoIPP60R190P6, SP001017066
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id20.2
Resistencia de Activación Rds(on)0.171ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.19ohm
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd151W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia151
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The IPP60R190P6 is a 600V CoolMOS™ P6 N-channel Power MOSFET with reduced gate charge. This CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFET, designed according to the super-junction(SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The CoolMOS™ P6 combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The device provides all benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, more compact, lighter and cooler.
- Extremely low losses due to very low figure of merit (RDS (ON) x Qg and EOSS)
- Very high commutation ruggedness
- Easy to use
- Increased dV/dt ruggedness
- Halogen-free, Green device
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Higher Vth
- Optimized integrated Rg
- Improved efficiency especially in light load condition
- Better efficiency in soft switching applications due to earlier turn-OFF
- Suitable for hard and soft-switching topologies
- Optimized balance of efficiency and ease of use and good controllability of switching behaviour
- High robustness and better efficiency
- Outstanding quality and reliability
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia de Activación Rds(on)
0.171ohm
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
20.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.19ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
151W
Disipación de Potencia
151
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (4)
Productos relacionados
6 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
WARNINGProposition 65