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IPP600N25N3GXKSA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 250 V, 25 A, 0.06 ohm, TO-220, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPP600N25N3GXKSA1
No. Parte Newark47W3483
También conocido comoIPP600N25N3 G, SP000677832
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $4.100 |
| 10+ | $3.230 |
| 25+ | $3.000 |
| 50+ | $2.790 |
| 100+ | $2.570 |
| 250+ | $2.360 |
| 500+ | $2.140 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPP600N25N3GXKSA1
No. Parte Newark47W3483
También conocido comoIPP600N25N3 G, SP000677832
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds250
Intensidad Drenador Continua Id25
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.06
Resistencia de Activación Rds(on)0.051ohm
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd136W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia136
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El IPP600N25N3 G es un producto MOSFET de potencia de canal N basado en la tecnología de referencia líder OptiMOS™. Es perfectamente adecuado para la rectificación síncrona en sistemas de 48 V, convertidores CD a CD, fuentes de alimentación ininterrumpida (UPS) e inversores.
- Qg y Qgd más bajos
- FOM más bajo del mundo, calificación MSL 1
- La más alta eficiencia
- Densidad de potencia más alta
- Menor consumo de espacio en la tarjeta
- Se requieren mínimos dispositivos para paralelaje
- Amigable con el medio ambiente
- Productos fáciles de diseñar
- Ideal para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona
- Calificado de acuerdo con JEDEC para la aplicación de destino
- Producto verde, libre de halógenos
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
250
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.06
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
25
Resistencia de Activación Rds(on)
0.051ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
136W
Disipación de Potencia
136
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
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6 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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