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IPG20N06S2L35ATMA1
MOSFET Doble, Canal N, 55 V, 20 A, 0.028 ohms, TDSON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPG20N06S2L35ATMA1
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)01AC4877
Cinta adhesiva01AC4877
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Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.68 |
| 10+ | $1.71 |
| 25+ | $1.53 |
| 50+ | $1.34 |
| 100+ | $1.16 |
| 250+ | $1.04 |
| 500+ | $0.92 |
| 1000+ | $0.85 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPG20N06S2L35ATMA1
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)01AC4877
Cinta adhesiva01AC4877
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds55V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N55
Intensidad Drenador Continua Id20A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P55
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N20
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P20
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.035
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.028
Diseño de TransistorTDSON
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N65
Disipación de Potencia de Canal P65
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza IPG20N06S2L35ATMA1
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
- Transistor de potencia OptiMOS™
- Nivel lógico de doble canal N - modo de mejora
- Automotriz calificado AEC Q101
- Temperatura de funcionamiento de 175°C
- Probado avalancha 100%
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
55
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
55
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
20
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.028
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
65
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
55V
Intensidad Drenador Continua Id
20A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
20
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.035
Diseño de Transistor
TDSON
Disipación de Potencia de Canal N
65
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto