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IPD90P04P4L04ATMA2
MOSFET de Potencia, Canal P, 40 V, 90 A, 0.0043 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD90P04P4L04ATMA2Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante10 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5246
Re-reeling (Rollos a medida)38AJ3778RL
Cinta adhesiva38AJ3778
Rango de ProductoOptiMOS-P2 Series
Su número de pieza
7,383 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.300 | $2.30 |
| Total Precio | $2.30 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.300 |
| 50+ | $1.520 |
| 100+ | $1.070 |
| 250+ | $0.977 |
| 500+ | $0.884 |
| 1000+ | $0.822 |
| 2500+ | $0.802 |
| 5000+ | $0.786 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $1.190 |
| 5000+ | $1.160 |
| 7500+ | $1.120 |
| 12500+ | $1.100 |
| 25000+ | $1.080 |
| 62500+ | $1.050 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD90P04P4L04ATMA2Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante10 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5246
Re-reeling (Rollos a medida)38AJ3778RL
Cinta adhesiva38AJ3778
Rango de ProductoOptiMOS-P2 Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id90A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente4300µohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.7V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia125W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoOptiMOS-P2 Series
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
OptiMOS-P2 Series
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
90A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
4300µohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.7V
Disipación de Potencia
125W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto