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IPD70R900P7SAUMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 700 V, 6 A, 0.9 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD70R900P7SAUMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante25 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)43AC3273RL
Cinta adhesiva43AC3273
Rango de ProductoCoolMOS P7
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79 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.210 | $1.21 |
| Total Precio | $1.21 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.210 |
| 50+ | $0.606 |
| 100+ | $0.546 |
| 250+ | $0.494 |
| 500+ | $0.442 |
| 1000+ | $0.433 |
| 2500+ | $0.424 |
| 5000+ | $0.415 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD70R900P7SAUMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante25 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)43AC3273RL
Cinta adhesiva43AC3273
Rango de ProductoCoolMOS P7
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds700
Intensidad Drenador Continua Id6
Resistencia de Activación Rds(on)0.74ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.9
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia Pd30.5W
Disipación de Potencia30.5
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoCoolMOS P7
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
Transistor de potencia CoolMOS™ P7 de 700V, una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alto voltaje. Diseñado según el principio de superjunción (SJ) y recomendado para topologías Flyback, por ejemplo, utilizadas en cargadores, adaptadores, aplicaciones de iluminación, etc.
- Pérdidas extremadamente bajas debido a muy bajas DE Rds (activado) * Qg y Rds (activado) * Ross
- Excelente comportamiento térmico
- Diodo de protección ESD integrado
- Pérdidas de conmutación bajas (Eoss)
- Calificado para aplicaciones de grado estándar
- Tecnología de costo competitivo
- Baja temperatura
- Alta robustez ESD
- Permite ganancias de eficiencia a frecuencias de conmutación más altas
- Permite diseños de alta densidad de potencia y factores de forma pequeños
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
700
Resistencia de Activación Rds(on)
0.74ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
30.5W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
CoolMOS P7
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
6
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.9
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
Disipación de Potencia
30.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto