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IPD65R420CFDAATMA1
MOSFET, N-CH, 650V, 8.7A, TO-252-3
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD65R420CFDAATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark13AN0445
Rango de ProductoCoolMOS CFDA Series
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $2.890 |
| 50+ | $1.860 |
| 100+ | $1.280 |
| 250+ | $1.160 |
| 500+ | $1.030 |
| 1000+ | $0.977 |
| 2500+ | $0.957 |
| 5000+ | $0.938 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiple: 5
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD65R420CFDAATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark13AN0445
Rango de ProductoCoolMOS CFDA Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Intensidad Drenador Continua Id8.7A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.42ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5V
Disipación de Potencia83.3W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoCoolMOS CFDA Series
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
8.7A
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
83.3W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.42ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
CoolMOS CFDA Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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