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IPD60R3K3C6ATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 1.7 A, 2.97 ohms, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD60R3K3C6ATMA1
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)13AC9045
Cinta adhesiva13AC9045
Rango de ProductoCoolMOS C6
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.71 |
| 10+ | $0.54 |
| 25+ | $0.51 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD60R3K3C6ATMA1
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)13AC9045
Cinta adhesiva13AC9045
Rango de ProductoCoolMOS C6
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id1.7
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3.3
Resistencia de Activación Rds(on)2.97ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia Pd18.1W
Disipación de Potencia18.1
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoCoolMOS C6
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza IPD60R3K3C6ATMA1
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
- Transistor de potencia de 600V CoolMOS™
- Pérdidas extremadamente bajas debido a un FOM muy bajo (RDS (encendido) * Qi y Ross)
- El fácil control del comportamiento de conmutación mejora la densidad de potencia
- Muy alta robustez de conmutación
- Fácil de usar, mejor eficiencia de carga ligera
- Mejor eficiencia de carga ligera en comparación con C3
- Excelente confiabilidad con la calidad probada de CoolMOS™ combinada con una alta resistencia de diodos
- Más eficiente, más compacto, más ligero y más fresco.
- Mejor precio en comparación con generaciones anteriores de CoolMOS™
- Reduce el posible zumbido debido al diseño de la PCB y los efectos parásitos del paquete
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3.3
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
18.1W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
CoolMOS C6
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
1.7
Resistencia de Activación Rds(on)
2.97ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
Disipación de Potencia
18.1
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
WARNINGProposition 65