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IPD200N15N3GATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 150 V, 50 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD200N15N3GATMA1
No. Parte Newark60R2704
También conocido comoIPD200N15N3 G, SP001127820
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD200N15N3GATMA1
No. Parte Newark60R2704
También conocido comoIPD200N15N3 G, SP001127820
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds150
Intensidad Drenador Continua Id50
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.02
Resistencia de Activación Rds(on)0.016ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd150W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia150
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza IPD200N15N3GATMA1
3 productos encontrados
Resumen del producto
El IPD200N15N3 G es un MOSFET de potencia de canal N de 150 V que logra una reducción en RDS (encendido) del 40% y del 45% en la Figura de Mérito (FOM). El MOSFET OptiMOS™ ofrece una alta eficiencia del sistema y el RDS (on) más bajo de la industria dentro de las clases de voltaje. Es ideal para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia y tecnología optimizada para convertidores CD-CD.
- Excelente rendimiento de conmutación
- Amigable con el medio ambiente
- Eficiencia incrementada
- La más alta densidad de potencia
- Se requiere menos paralelismo
- Menor consumo de espacio de tablero
- Fácil de diseñar
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
150
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.02
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
50
Resistencia de Activación Rds(on)
0.016ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
150W
Disipación de Potencia
150
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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