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IPD122N10N3GATMA1
MOSFET, N CH, 100V, 59A, TO-252-3
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FabricanteINFINEON
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Tiempo de entrega estándar del fabricante28 semanas
No. Parte Newark86AK5201
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 28 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.591 |
| 5000+ | $0.581 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 2500
Múltiple: 2500
$1,477.50
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD122N10N3GATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante28 semanas
No. Parte Newark86AK5201
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id59A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0122ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.7V
Disipación de Potencia94W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
59A
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
94W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0122ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.7V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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