Imprimir página
IPD110N12N3GATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 120 V, 75 A, 11 mohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD110N12N3GATMA1
No. Parte Newark47W3469
También conocido comoIPD110N12N3 G, SP001127808
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
3,022 En Inventario
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
Disponible en la cantidad indicada
Opciones de embalaje
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.890 |
| 10+ | $1.880 |
| 25+ | $1.770 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD110N12N3GATMA1
No. Parte Newark47W3469
También conocido comoIPD110N12N3 G, SP001127808
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds120
Intensidad Drenador Continua Id75
Resistencia de Activación Rds(on)0.0092ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente11
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd136W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia136
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza IPD110N12N3GATMA1
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
El IPD110N12N3 G es un MOSFET de potencia de canal N OptiMOS™ que ofrece al mismo tiempo las resistencias de estado ON más bajas de la industria y el comportamiento de conmutación más rápido, lo que permite lograr un rendimiento excepcional en una amplia gama de aplicaciones. La tecnología OptiMOS™ de 120V ofrece nuevas posibilidades para soluciones optimizadas.
- Excelente rendimiento de conmutación
- RDS más bajo del mundo (ON)
- Muy bajo Qg y Qgd
- Excelente carga de puerta x producto RDS (ON) (FOM)
- Producto verde, libre de halógenos
- Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino
- MSL1 clasificado 2
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
120
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0092ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
75
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
11
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
136W
Disipación de Potencia
136
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
WARNINGProposition 65