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IPD030N03LF2SATMA1
MOSFET, N-CHANNEL, 30V, 99A, TO-252 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD030N03LF2SATMA1
No. Parte Newark20AM0209
Rango de ProductoStrongIRFET 2 Series
Su número de pieza
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.580 |
| 10+ | $1.050 |
| 25+ | $0.951 |
| 50+ | $0.849 |
| 100+ | $0.748 |
| 250+ | $0.683 |
| 500+ | $0.618 |
| 1000+ | $0.576 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
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Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD030N03LF2SATMA1
No. Parte Newark20AM0209
Rango de ProductoStrongIRFET 2 Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id99A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3050µohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.35V
Disipación de Potencia83W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoStrongIRFET 2 Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
99A
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
83W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3050µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.35V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
StrongIRFET 2 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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