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IPB80N06S2L11ATMA2
MOSFET, N-CH, 55V, 80A, TO-263-3 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB80N06S2L11ATMA2
No. Parte Newark20AM6496
Rango de ProductoOptiMOS Series
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.260 |
| 10+ | $2.240 |
| 25+ | $2.050 |
| 50+ | $1.850 |
| 100+ | $1.660 |
| 250+ | $1.540 |
| 500+ | $1.430 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB80N06S2L11ATMA2
No. Parte Newark20AM6496
Rango de ProductoOptiMOS Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds55V
Intensidad Drenador Continua Id80A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0107ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2V
Disipación de Potencia158W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoOptiMOS Series
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
80A
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
158W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
55V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0107ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
OptiMOS Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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