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IPB80N06S2L06ATMA2
MOSFET, CANAL N, 55V, 80A, TO-263
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB80N06S2L06ATMA2Copiar
No. Parte Newark79AK2200
Rango de ProductoOptiMOS Series
Su número de pieza
356 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $4.120 |
| 10+ | $2.950 |
| 25+ | $2.660 |
| 50+ | $2.360 |
| 100+ | $2.070 |
| 250+ | $1.880 |
| 500+ | $1.690 |
| 1000+ | $1.530 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$4.12
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB80N06S2L06ATMA2Copiar
No. Parte Newark79AK2200
Rango de ProductoOptiMOS Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds55V
Intensidad Drenador Continua Id80A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente4800µohm
Diseño de TransistorTO-263
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2V
Disipación de Potencia250W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoOptiMOS Series
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
80A
Diseño de Transistor
TO-263
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
250W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
55V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
4800µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
OptiMOS Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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