IPB60R060P7ATMA1

IPB60R060P7ATMA1 es un transistor de potencia CoolMOS™ P7 de 600 V. La plataforma CoolMOS™ de séptima generación es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alto voltaje diseñada según el principio de superunión (SJ) y de la que Infineon Technologies fue pionera. La serie CoolMOS™ P7 de 600 V es la sucesora de la serie CoolMOS™ P6. Combina los beneficios de un MOSFET SJ de conmutación rápida con una excelente facilidad de uso, p. Muy baja tendencia a las vibraciones, excelente robustez del diodo del cuerpo contra la conmutación fuerte y excelente capacidad ESD. Además, las pérdidas de conmutación y conducción extremadamente bajas hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, más compactas y mucho más frías.

• Adecuado para conmutación dura y suave (PFC y LLC) debido a su excelente robustez de conmutación
• Reducción significativa de las pérdidas por conmutación y conducción.
• Excelente robustez ESD superior a 2KV(HBM) para todos los productos
• Acc completamente calificado. JEDEC para aplicaciones industriales
• Gestión térmica simplificada debido a bajas pérdidas de conmutación y conducción.
• Adecuado para una amplia variedad de aplicaciones y rangos de potencia.
• El voltaje de ruptura de la fuente de drenaje es de 600V min a (VGS = 0 V, ID = 1mA)
• La carga total de la puerta es de 67nC típica en (VDD = 400V, ID = 15.9A, VGS = 0 a 10V)
• La temperatura de funcionamiento de unión es desde -55°C hasta 150°C
• La velocidad de conmutación del diodo es de 900A/μs máx. a (VDS = 0 a 400V, ISD< = 48 A, Tj = 25 °C)