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IPB600N25N3GATMA1
MOSFET Transistor, N Channel, 25 A, 250 V, 0.051 ohm, 10 V, 3 V RoHS Compliant: Yes
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB600N25N3GATMA1
No. Parte Newark85X6023
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Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB600N25N3GATMA1
No. Parte Newark85X6023
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds250V
Intensidad Drenador Continua Id25A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.06ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia136W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
250V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
25A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.06ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
136W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza IPB600N25N3GATMA1
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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