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IPB073N15N5ATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 150 V, 114 A, 0.0073 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
93 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $4.270 | $4.27 |
| Total Precio | $4.27 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $4.270 |
| 10+ | $2.960 |
| 25+ | $2.680 |
| 50+ | $2.400 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB073N15N5ATMA1
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)43AC3264
Cinta adhesiva43AC3264
Rango de ProductoOptiMOS 5
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds150V
Intensidad Drenador Continua Id114A
Resistencia de Activación Rds(on)0.0056ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0073
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.8V
Disipación de Potencia Pd214W
Disipación de Potencia214W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoOptiMOS 5
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
- Transistor de Potencia OptiMOS™ 5
- Excelente producto xRDS (encendido) de carga de puerta (FOM)
- RDS de muy baja resistencia (activado)
- Carga de recuperación inversa muy baja (Qrr)
- Temperatura de operación de 175°C
- Calificado según JEDEC para aplicación obejtivo.
- Ideal para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona
- Libre de halógenos según IEC61249-2-21
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
150V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0056ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
214W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
OptiMOS 5
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
114A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0073
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.8V
Disipación de Potencia
214W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza IPB073N15N5ATMA1
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto