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IPB057N06NATMA1
MOSFET Transistor, N Channel, 45 A, 60 V, 0.0049 ohm, 10 V, 2.8 V RoHS Compliant: Yes
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB057N06NATMA1
No. Parte Newark50Y2006
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.890 |
| 10+ | $1.970 |
| 25+ | $1.770 |
| 50+ | $1.540 |
| 100+ | $1.340 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB057N06NATMA1
No. Parte Newark50Y2006
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id45A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente5700µohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.8V
Disipación de Potencia83W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.8V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
45A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
5700µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
83W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza IPB057N06NATMA1
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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