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IPB042N10N3GATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 100 A, 0.0042 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB042N10N3GATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante23 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5156
Re-reeling (Rollos a medida)47Y8047RL
Cinta adhesiva47Y8047
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $3.470 | $3.47 |
| Total Precio | $3.47 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.470 |
| 50+ | $1.740 |
| 100+ | $1.570 |
| 250+ | $1.420 |
| 500+ | $1.270 |
| 1000+ | $1.240 |
| 2500+ | $1.220 |
| 5000+ | $1.190 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1000+ | $1.490 |
| 2000+ | $1.430 |
| 3000+ | $1.370 |
| 5000+ | $1.340 |
| 10000+ | $1.320 |
| 25000+ | $1.290 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB042N10N3GATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante23 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5156
Re-reeling (Rollos a medida)47Y8047RL
Cinta adhesiva47Y8047
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id100A
Resistencia de Activación Rds(on)0.0036ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0042
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.7V
Disipación de Potencia Pd214W
Disipación de Potencia214W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
Transistor de potencia Optima's™ 3 de 100V Ideal para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona.
- Canal N, nivel normal
- Excelente producto xRDS (encendido) de carga de puerta (FOM)
- RDS de muy baja resistencia (activado)
- Excelente rendimiento de conmutación
- R DS más bajo del mundo (activado)
- Amigable con el medio ambiente
- Eficiencia incrementada
- La más alta densidad de potencia
- Se requiere menos paralelismo
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0036ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
214W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
100A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0042
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.7V
Disipación de Potencia
214W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
