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IPB010N06NATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 180 A, 0.001 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB010N06NATMA1
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)79X1431
Cinta adhesiva79X1431
También conocido comoIPB010N06N, SP000917410
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 14 semanas
Opciones de embalaje
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $7.080 |
| 10+ | $5.800 |
| 25+ | $5.480 |
| 50+ | $5.140 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB010N06NATMA1
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)79X1431
Cinta adhesiva79X1431
También conocido comoIPB010N06N, SP000917410
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id180
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.001
Resistencia de Activación Rds(on)800µohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd300W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.8
Disipación de Potencia300
No. de Pines7Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El IPB010N06N es un MOSFET de potencia de canal N de 60 V optimizado para la rectificación síncrona en fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS) como las que se encuentran en servidores, computadoras de escritorio y cargadores de tabletas. La carga de la puerta y la carga de salida drásticamente reducidas permiten una alta eficiencia del sistema y una densidad de potencia. El MOSFET de potencia OptiMOS ™ es ideal para conmutación de alta frecuencia y convertidores CD-CD.
- Mayor eficiencia del sistema
- Se requiere menos paralelismo
- Aumento de la densidad de potencia
- Sobreimpulso de muy bajo voltaje
- Resistencia térmica superior
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.001
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Disipación de Potencia Pd
300W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.8
No. de Pines
7Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
180
Resistencia de Activación Rds(on)
800µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
300
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza IPB010N06NATMA1
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
WARNINGProposition 65